用于半导体发光装置之电极

摘要

本发明的目的系提出一种可产生具有低驱动电压的强力发光之电极，而不会降低结晶。此用于半导体发光装置之电极具有位于发光装置的同侧上之n型或p型电极与相对的p型或n型电极之结构。两电极包括接合垫及透明导电层。较佳而言，发光元件系以氮化镓为基础的半导体发光装置。透明导电层的材料系如铟锡氧化物的金属氧化物，或如铝，镍的金属。

主权项

一种用于半导体发光装置之电极，其为用于具有位于发光装置的同侧上之n型或p型电极与相对的p型或n型电极之结构的半导体发光装置之电极，其特征在于两电极包括接合垫及透明导电层，其中一电极的透明导电层系置于该发光装置的中心区，而相对电极的透明导电层围绕该第一电极的该透明导电层之全部的周围。