具有镶嵌式MIM型电容的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种用于制造具有镶嵌式金属/绝缘体/金属(MIM)型电容以及金属连线的半导体器件的方法，该方法包括：提供一个半导体器件；相继在半导体衬底上方形成第一层间绝缘薄膜和第二层间绝缘薄膜；同时在连线区域形成通孔和下层金属连线并在电容区域形成下部电极，其中，下部金属连线和下部电极与半导体器件电连接；相继在半导体衬底上方形成介电薄膜，第三层间绝缘薄膜，第四层间绝缘薄膜以及第五层间绝缘薄膜；并随后，同时，在与多个上部电极电连接的电容区域中形成多个上部电极，多个第二通孔以及多条第二上部金属连线，在与下部电极电连接的电容区域中形成多个第三通孔和多条第二上部金属连线，并在与下部金属连线电连接的连线区域中形成多个第四通孔和多条第四上部金属连线。

主权项

1.一种具有镶嵌式MIM型电容的半导体器件的制造方法，包含：提供形成半导体器件的半导体衬底；在所述半导体衬底上方相继形成第一层间绝缘薄膜和第二层间绝缘薄膜；蚀刻所述第一层间绝缘薄膜和所述第二层间绝缘薄膜以形成多个第一隧道和多个孔；通过在所述第一隧道和所述孔中填充金属材料，同时形成下部连线和下部电极；在所述第二层间绝缘薄膜上方层压介电薄膜和第三层间绝缘薄膜；通过使用掩模蚀刻所述第三层间绝缘薄膜，形成多个通孔和开口；在所述通孔和所述开口中填充间隙填充薄膜；通过使用定义连线区域的掩膜，蚀刻在布置通孔的区域中的所述第三层间绝缘薄膜和所述间隙填充薄膜，以形成多个第二隧道；在穿过所述第二隧道暴露的区域中去除所述间隙填充薄膜和所述介电薄膜，同时从所述开口去除所述间隙填充薄膜；以及在所述第二隧道和所述通孔中以及在所述开口中填充金属材料，平坦化所填充的金属材料，以在所述隧道和所述通孔中形成与所述下部连线连接的多个通孔和上部连线，以及同时在所述开口中的所述介电薄膜上方形成多个上部电极。