| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种薄膜晶体管，此薄膜晶体管包括一多晶硅岛状物、一闸绝缘层、一闸极堆栈层以及一介电层。多晶硅岛状物包括一源极区以及一汲极区，而闸绝缘层覆盖多晶硅岛状物。闸极堆栈层配置于闸绝缘层上，其中闸极堆栈层包括一第一导电层以及一第二导电层。第一导电层的长度小于第二导电层的长度。介电层覆盖闸绝缘层与闸极堆栈层，因而于第二导电层与闸绝缘层之间构成多个腔洞。 | ||
| 申请公布号 | CN101621077A | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200910305192.6 | 申请日期 | 2009.08.04 |
| 申请人 | 华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司 | 发明人 | 廖大传;郑晃忠;戴亚翔;陈司芬 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蔡学俊 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一多晶硅岛状物，其中该多晶硅岛状物中包括一源极区以及一汲极区；一闸绝缘层，覆盖该多晶硅岛状物；一闸极堆栈层，配置于该闸绝缘层上，其中该闸极堆栈层包括一第一导电层以及一第二导电层，该第一导电层的长度小于该第二导电层的长度；以及一介电层，覆盖该闸绝缘层与该闸极堆栈层，因而于该第二导电层与该闸绝缘层之间构成多个腔洞。 | ||
| 地址 | 350015福建省福州市马尾科技园区兴业路1号 | ||