电子束蒸发技术制备微球碳化硼薄膜的方法与装置

摘要

一种电子束蒸发技术制备微球碳化硼薄膜的方法，将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中，将清洗、干燥后的微球形衬底放到三维沉积装置的筛网反弹盘里，使微球形衬底位于坩埚正上方20cm～30cm处；在真空条件进行镀膜，镀膜真空度不低于5.0×10^-3Pa，衬底温度为室温～300℃；调节电子束使其聚焦到膜料上的斑点最小，调节三维沉积装置，使筛网反弹盘以0.125Hz～1Hz的频率作间歇式振动，束流值控制在80mA～140mA，镀膜时间为5h-100h。此方法可制备出球形衬底的微球碳化硼薄膜，薄膜结构因工艺不同有多晶和非晶两种状态，所制备的碳化硼薄膜表面光滑、均匀性良好。

主权项

1、一种用于制备微球碳化硼薄膜的三维沉积装置，包括电机(1)，其特征在于还包括触杆I(2)、触杆II(3)、活塞式压板(10)、套筒(4)、弹簧(5)、支撑板(6)和筛网反弹盘(8)；支撑板(6)的一端与筛网反弹盘(8)连接，套筒(4)固定在支撑板上，弹簧(5)安装在套筒(4)内，活塞式压板与套筒(4)为动配合，活塞式压板的下端面与弹簧(5)上端接触，活塞式压板的上端面与触杆II(3)的一端连接，触杆II(3)的自由端为斜面，触杆I(2)至少为1根，安装在与电机(1)外壳固连的连接件上，触杆I(2)的长度为：在电机(1)带动下转至对应于触杆II(3)的位置时与触杆II接触并触动触杆II运动。