| 发明名称 | 利用电镀的导电过孔形成 | ||
| 摘要 | 本发明讨论一种形成导电过孔的方法，该方法包括在半导体衬底(103)的第一侧面(125)之上形成种籽层，其中，该半导体衬底包括第一侧面相对的第二侧面(127)，从半导体衬底的第二侧面在半导体衬底中形成过孔(329)，其中过孔暴露种籽层；以及从种籽层在过孔中电镀导电过孔材料(601，603)。在一个实施例中，在种籽层之上形成连续导电层(116)并且将连续导电层(116)电耦合到种籽层。连续导电层可以在电镀导电过孔材料时充当电流源。 | ||
| 申请公布号 | CN101622700A | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200880006417.1 | 申请日期 | 2008.01.25 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | T·G·斯巴克斯;R·E·琼斯 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 金 晓 |
| 主权项 | 1.一种用于形成导电过孔的方法，该方法包括：在半导体衬底的第一侧面之上形成导电层，其中，该半导体衬底包括第一侧面和第二侧面，并且第一侧面与第二侧面相对；图案化所述导电层以形成附着衬垫；从所述半导体衬底的第二侧面在半导体衬底中形成过孔，其中所述过孔暴露所述附着衬垫；以及利用所述附着衬垫作为种籽层在过孔中电镀导电过孔材料。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||