垂直结构的半导体芯片或器件（包括高亮度LED）及其批量生产方法

摘要

垂直结构的半导体芯片(或器件)具备所有倒装焊半导体芯片的优点。本发明展示低成本和高产率的批量生产垂直结构的半导体芯片(包括GaN基，GaInP基，和GaInPN基LEDs)的方法。本发明的批量生产方法包括下述工艺步骤：外延生长第一类型限制层于生长衬底上，层叠反射/欧姆层于第一类型限制层上，层叠导电的支持衬底于反射/欧姆层上，剥离生长衬底，第一类型限制层暴露，外延生长包括发光层和第二类型限制层的外延层于暴露的第一类型限制层上，层叠第二电极于第二类型限制层上，切割外延晶片为半导体芯片。本发明的最重要的特点是：即使使用硅(Si)晶片作为生长衬底，也可以生长高质量的GaN基LEDs，而目前硅晶片的最大的直径是12英寸，因而GaN基LEDs的生产成本被极大的降低。

主权项

1.一种低成本和高产率的批量生产垂直结构的半导体芯片或器件的方法包括下述工艺步骤：-提供一个生长衬底；-外延生长第一类型限制层于所述的生长衬底上；-层叠第二中间媒介层于所述的第一类型限制层上；-层叠导电的支持衬底于所述的第二中间媒介层上，因此形成键合晶片；所述的导电的支持衬底的暴露的一面作为第一电极；-从键合晶片上剥离所述的生长衬底，使得第一类型限制层暴露；-外延生长包括发光层和第二类型限制层的外延层于所述的暴露的第一类型限制层上；-层叠第二电极于所述的第二类型限制层上，其中所述的第二电极的图形是从一组图形中选出，该组图形包括：条-环-图形，格-环-图形，格-图形，和多环-叉-图形；所述的第二电极的图形具有一个或多个打线焊点。