背面照明成像器件及其制造方法

摘要

本发明提供背面照明成像器件及其制造方法、半导体基片和成像设备。一种背面照明成像器件通过从p型基片的背面照射光以基于光而在基片中产生电荷、并且从所述基片的正面读取电荷来进行成像。该器件包括位于基片中以及靠近基片正面表面的同一平面上的用于累积电荷的n层；处在各个n层和基片正面表面之间的n⁺层，该n⁺层具有暴露在基片正面上的暴露表面，并且起到释放n层中所累积的多余电荷的溢漏作用；处在各个n⁺层和n层之间的p⁺层，其起到溢漏的溢垒作用；以及连接到每个n⁺层的暴露表面的电极。

主权项

1.一种背面照明成像器件，其通过从半导体基片的背面照射光以基于光而在半导体基片中产生电荷、并且从所述半导体基片的正面读取电荷来进行成像，所述器件包括：多个第一杂质扩散层，其位于半导体基片中、以及靠近半导体基片的正面表面的同一平面上，所述第一杂质扩散层具有第一导电类型并且累积电荷；多个第二杂质扩散层，其处在各个第一杂质扩散层和半导体基片正面表面之间，所述第二杂质扩散层具有暴露在半导体基片正面表面上的暴露表面，具有第一导电类型，并且起到释放累积在多个第一杂质扩散层中的多余电荷的溢漏作用；多个第三杂质扩散层，其处在各个第二杂质扩散层和各个第一杂质扩散层之间，所述第三杂质扩散层具有与第一导电类型相反的第二导电类型，并且起到溢漏的溢垒的作用；以及连接到每个第二杂质扩散层的暴露表面的电极。