发明名称 成像装置和闪烁检测方法
摘要 曝光控制单元(15)对CMOS传感器(10)的电荷积聚时间进行控制。CMOS传感器(10)以电荷积聚时间T1拍摄图像P1并且以电荷积聚时间T2拍摄图像P2。电荷积聚时间T1不会在以第一闪光周期闪光的光源之下的图像中引起闪烁。电荷积聚时间T2与电荷积聚时间T1不同。差分图像产生单元(17)产生用于加强示出图像P1和P2的亮度差的差分图像DP。闪烁检测单元(18)根据在差分图像DP中出现的P1与P2之间的亮度差来对图像P2中的闪烁发生进行检测。
申请公布号 CN101622859A 申请公布日期 2010.01.06
申请号 CN200780049492.1 申请日期 2007.09.27
申请人 恩益禧电子股份有限公司 发明人 新仓谦太郎
分类号 H04N3/15(2006.01)I;H04N5/235(2006.01)I 主分类号 H04N3/15(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 孙志湧;安 翔
主权项 1.一种成像装置,包括:成像传感器;控制单元,配置为控制通过被调节为第一电荷积聚时间的所述成像传感器拍摄第一图像和控制通过被调节为第二电荷积聚时间的所述成像传感器拍摄第二图像,所述第一电荷积聚时间不会在以第一闪光周期闪光的光源之下所述成像传感器所拍摄的图像中引起闪烁,所述第二电荷积聚时间与所述第一电荷积聚时间不同;以及闪烁检测单元,配置为根据所述第一图像与所述第二图像之间的亮度差来对所述第二图像中的闪烁发生进行检测。
地址 日本神奈川