发明名称 | 一种增敏的非本征F-P光纤温度传感器 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种增敏的非本征F-P光纤温度传感器,属于传感器技术领域,涉及到一种增敏的非本征F-P光纤温度传感器。其特征是通过刻划产生缺陷,并利用刻痕缺陷处应力集中的特点拉断形成平整光纤端面;采用粘合剂将金属毛细管与非本征F-P干涉腔的裸光纤粘结在一起,由两个光纤平端面和热膨胀系数大于玻璃毛细管的金属毛细管构成了一个增敏的非本征F-P光纤温度传感器。本实用新型的有益效果是,能够得到光纤端面良好、干涉腔没有杂质、增敏的非本征F-P光纤温度传感器,具有温度响应快、温度灵敏度高、体积小、结构简单、可靠性高和制作灵活等优点,能够用于强电磁辐射、易燃易爆等场合下的高精度温度测量。 | ||
申请公布号 | CN201378086Y | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
申请号 | CN200920010275.8 | 申请日期 | 2009.01.17 |
申请人 | 大连理工大学 | 发明人 | 宋世德;王晓娜;于清旭 |
分类号 | G01K11/32(2006.01)I | 主分类号 | G01K11/32(2006.01)I |
代理机构 | 大连理工大学专利中心 | 代理人 | 梅洪玉 |
主权项 | 1.一种增敏的非本征F-P光纤温度传感器,其特征在于:在裸光纤(4)的表面刻划与裸光纤(4)轴线正交的刻痕缺陷,将带有刻痕缺陷的裸光纤(4)插入金属毛细管(2);将位于裸光纤(4)末端一侧的金属毛细管(2)端点与裸光纤(4)胶粘固定在一起;刻痕缺陷处裂开形成与光纤轴线垂直的两个平整解理面(3)与二者之间的空气隙构成了一个非本征F-P干涉腔(1);将金属毛细管(2)的另外一端与裸光纤(4)胶粘固定在一起,构成一个增敏的非本征F-P光纤温度传感器。 | ||
地址 | 116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 |