利用应变技术改变薄膜电晶体迁移率之方法

摘要

本案系提供一种将薄膜电晶体施加应变力以增加其元件导通电流及迁移率之方法。将薄膜电晶体基板固定于一施加应力之压力源上，并施加应变力时会造成电晶体迁移率的改变。施力方向与薄膜电晶体之通道方向会对迁移率造成影响。N型与P型之薄膜电晶体会依其施加应变力之方向产生不同的电流变化率。

主权项

一种受应变力以改变一薄膜电晶体之元件特性及操作速度之方法，其步骤包含：(a)提供一基板；(b)于该基板上成长该薄膜电晶体；以及(c)形成一引起该薄膜电晶体通道上之应变力之压力源。