直立鳍式场效电晶体金氧半导体元件

摘要

本发明揭示一种呈现低接触电阻之新式的高密度直立鳍式场效电晶体元件。这些直立鳍式场效电晶体元件具有可当作电晶体本体的直立矽「鳍片」。掺杂源极及汲极区系分别形成于鳍片的底部及顶部。闸极系沿着鳍片的侧壁形成。当对闸极施加适当偏压时，电流直立流动通过在源极及汲极区间的鳍片。本发明同时揭示一种用于形成pFET、nFET、多鳍、单鳍、多闸极及双重闸极直立鳍式场效电晶体的整合程序。

主权项

一种直立鳍式场效电晶体半导体元件，包含：至少一个直立半导体鳍片，系配置于一绝缘层上；经掺杂源极区及汲极区，系位于该至少一个半导体鳍片之底部及顶部中；以及各闸极导体，系沿着该至少一个半导体鳍片的各直立侧壁配置，并以各薄型闸极绝缘体与其隔开。