非挥发性半导体记忆元件及制造方法

摘要

可缩短资料的写入或抹除时间，同时可大幅增加重写次数，而且可以抵的电力消耗使其动作的非挥发性半导体记忆元件。接邻于遂穿绝缘膜2而形成的电荷保持层3系由每一电荷保持层3的平方公分以1012～1014个面密度独立分散当作浮置闸功能的粒子径5nm以下的一种以上的单元素物质或化合物构成的超微粒子3a而含有的电绝缘性的绝缘层3b构成的非挥发性半导体记忆元件。

主权项

一种非挥发性半导体记忆元件，包含：形成于半导体基板表面的源极区域以及汲极区域；用以连接该源极区域以及该汲极区域，且接触于夹在该源极区域以及该汲极区域的通道形成区域而形成的遂穿绝缘膜；接邻于该遂穿绝缘膜而形成的电荷保持层；接邻于该电荷保持层而形成的闸绝缘膜；以及接邻于该闸绝缘膜而形成的控制闸，其特征为：该电荷保持层系由绝缘层所构成，该绝缘层系为，每一非挥发性半导体记忆元件含有一个超微粒子、或以前述电荷保持层的每1平方公分有1012~1014个之密度而独立分散而含有复数个超微粒子，该超微粒子系由作为浮置闸功能的粒子径5nm以下的一种以上的单元素物质或化合物所成；该电荷保持层系使用物理的蒸镀法自组织地形成构成超微粒子以及绝缘层的各个材料；该物理的蒸镀法为溅镀法。