利用可显影之底部抗反射涂覆层图案化微特征的方法

摘要

在半导体制程中，可显影之底部抗反射涂覆层系沉积于晶圆上以避免反射。光阻层系沉积于此可显影之底部抗反射涂覆层，接着光照晶圆以进行选择性曝光。光照步骤在光阻及可显影之底部抗反射涂覆层之曝光区域中产生光酸(氢离子)。为了在微特征之可显影之底部抗反射涂覆层中提供更佳的解析度，在曝光后烘烤前或曝光后烘烤期间，对涂覆的晶圆垂直产生电场，使可显影之底部抗反射涂覆层产生均匀垂直分布之氢离子。然后，对涂覆的晶圆进行显影步骤，以移除可显影之底部抗反射涂覆层之未曝光部份或已曝光部份。由于氢离子为均匀垂直分布，因此由显影剂所形成之空洞具有实质上垂直之侧壁。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括：涂覆一底部抗反射涂覆层于一基材上，其中该底部抗反射涂覆层为一可显影之底部抗反射涂覆层；形成一光阻层于该抗反射涂覆层上；选择性光照该光阻层及该可显影之底部抗反射涂覆层，以形成复数个选择部分于该光阻层及该可显影之底部抗反射涂覆层中；在选择性光照该光阻层及该可显影之底部抗反射涂覆层之步骤后，进行加热该光阻层及该可显影之底部抗反射涂覆层之步骤和对该可显影之底部抗反射涂覆层施加一电场之步骤；以及在施加该电场之步骤和加热该光阻层及该可显影之底部抗反射涂覆层之步骤后，对该光阻层进行一显影步骤，以移除该光阻层之该些选择部分。