发明名称 Strahlungsemittierender Halbleiterchip
摘要 Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchipopplung vorgesehen ist, angegeben. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip weist in Richtung von einer der Vorderseite (7) gegenüberliegenden Rückseite (8) zur Vorderseite (7) hin folgende Elemente in der angegebenen Reihenfolge auf: eine aktive Schicht (1), die zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist; eine Durchmischungsschicht (2), die Steuerelemente (21) zur Streuung der elektromagnetischen Strahlung enthält; eine Übergangsschicht (3), die einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der aktiven Schicht (1); und einen ersten photonischen Kristall (4).
申请公布号 DE102008030751(A1) 申请公布日期 2009.12.31
申请号 DE20081030751 申请日期 2008.06.27
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 BERGENEK, KRISTER;WIRTH, RALPH;LINDER, NORBERT;WIESMANN, CHRISTOPHER
分类号 H01L33/22;H01L33/46;H01L51/50 主分类号 H01L33/22
代理机构 代理人
主权项
地址