发明名称 |
集成电路结构 |
摘要 |
本发明公开了一种集成电路结构,包括具有第一栅电极、第一源极与第一漏极的p型金属氧化物半导体晶体管以及具有第二源极、第二漏极与第二栅电极的n型金属氧化物半导体晶体管,其中第二栅电极与第一栅电极为栅电极导线的一部分。于p型金属氧化物半导体晶体管与n型金属氧化物半导体晶体管之间未设置有其他晶体管。上述集成电路结构还包括电源导线,连接第一源极;接地导线,连接第二源极;以及内连接点,电性连接于栅电极导线,其中内连接点位于包括PMOS晶体管、NMOS晶体管与介于PMOS晶体管以及NMOS晶体管间区域的金属氧化物半导体对区域的外侧部,且其中栅电极导线位于区域上的该部为大体笔直。本发明可改善栅电极导线的线宽均匀度等。 |
申请公布号 |
CN101615614A |
申请公布日期 |
2009.12.30 |
申请号 |
CN200910136805.8 |
申请日期 |
2009.04.21 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
田丽钧;鲁立忠;侯永清;戴春晖;郭大鹏;陈胜兴;李秉中 |
分类号 |
H01L27/092(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/092(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
姜 燕;陈 晨 |
主权项 |
1.一种集成电路结构,包括:一p型金属氧化物半导体晶体管,即PMOS晶体管,包括:一第一栅电极;一第一源极,邻近该第一栅电极;以及一第一漏极,位于该第一栅电极的一对称侧且邻近该第一栅电极而非该第一源极;一n型金属氧化物半导体晶体管,即NMOS晶体管,包括:一第二栅电极,其中该第二栅电极与该第一栅电极为一栅电极导线的一部分;一第二源极,邻近该第二栅电极;以及一第二漏极,位于该第二栅极的一对称侧且邻近该第二栅电极而非该第二源极,其中于该p型金属氧化物半导体晶体管与该n型金属氧化物半导体晶体管之间未设置有其他晶体管;一电源导线,连接该第一源极;一接地导线,连接该第二源极;以及一内连接点,电性连接于该栅电极导线,其中该内连接点位于包括该PMOS晶体管、该NMOS晶体管与介于该PMOS晶体管以及该NMOS晶体管间一区域的一金属氧化物半导体对区域的一外侧部,且其中该栅电极导线位于该MOS对区域上的该部为大体笔直。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |