| 发明名称 | 具有金属-绝缘体-金属电容器的集成半导体产品 | ||
| 摘要 | 为了制造一种具有结合之金属-绝缘体-金属电容器的集成半导体产品，首先，一介电辅助层(6)系被沉积于一第一电极(2、3、5)之上，该辅助层(6)则接着经该第一电极被形成开口(15)，然后，一介电层(7)被产生，并且第二电极的该金属轨道堆叠(8、9、10)系接着被施加于该介电层(7)之上，而紧接着的则是利用已知蚀刻程序而对该金属-绝缘体-金属电容器进行的图案化。此系使得有可能利用可依所需而进行选择的材质来产生具有任何所需厚度的介电电容器层，特别的是，本发明所具有的优点是，相较于已知技术，通孔蚀刻系可以简单许多的方式加以进行，因为其不需要蚀刻穿透在该金属轨道上方的剩余介电电容器层。 | ||
| 申请公布号 | CN100576441C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN02825012.5 | 申请日期 | 2002.12.05 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | K·科勒;H·克尔纳;M·施伦克 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I;H01G4/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种具有互连以及至少一金属-绝缘体-金属电容器的集成半导体产品，而该互连包括铝，以作为一必要结构成分，并且该电容器包括一第一电极(2、3、5)，一介电层(7)，以及一第二电极(8、9、10)，其中该介电层(7)被配置在位于该第一电极之上且位于一介电辅助层(6)中的一开口(15)之中。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||