CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明披露了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该方法包括：在其中形成有多个光电二极管的半导体衬底上形成层间绝缘膜，在层间绝缘膜上形成多个与光电二极管相对应的滤色器层，在包括各个滤色器层的半导体衬底的整个表面上方形成平坦化层，在位于滤色器层的边界上方的平坦化层上形成一个以上的间隙绝缘膜，以及在间隙绝缘膜之间的平坦化层上形成一个以上的微透镜，以与各个光电二极管相对应。

主权项

1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括：在其中形成有多个光电二极管的半导体衬底上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成多个与所述光电二极管相对应的滤色器层；在包括所述各个滤色器层的所述半导体衬底的整个表面上方形成平坦化层；在位于所述滤色器层的边界上方的所述平坦化层上形成一个以上的间隙绝缘膜；以及在所述间隙绝缘膜之间的所述平坦化层上形成一个以上的微透镜，以与所述各个光电二极管相对应。