发明名称 | 一种半导体器件及其提供的低压电源的应用 | ||
摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其提供的低压电源的应用。在以第一种导电类型的半导体为衬底的含有高压器件的芯片中,用在表面的第二种导电类型的半导体的孤立的区的电位直接作为低压电源的一个输出端,或作为一个晶体管的控制极的电压间接地控制一个向低压电源提供输出电流的器件和方法。低压电源的另一个输出端可以是外加高电压于高压器件的两端中的任一个端也可以是一个浮动端。此方法不仅可供低压电源于只含一个高压器件的功率集成电路中的低压集成电路用,也可供低压电源于含高侧高压器件和低侧高压器件的图腾柱接法的功率集成电路或CMOS接法的功率集成电路中的低压集成电路用。由于不需要制造耗尽型的器件,减少了工艺制造的成本。 | ||
申请公布号 | CN100576541C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
申请号 | CN200810097388.6 | 申请日期 | 2008.05.14 |
申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 陈星弼 |
分类号 | H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李镇江 |
主权项 | 1、一种半导体器件,包含第一种导电类型的衬底和位于所述半导体器件的第一主表面下的至少一个第二种导电类型的第一区,外加反向电压是加于所述第一种导电类型的衬底和所述第二种导电类型的第一区之间,其特征在于,在所述半导体器件的第一主表面下,还有一个以上不与任何一个第二种导电类型的第一区相连接的第二种导电类型的第二区;在外加反向电压下,至少一个所述第二种导电类型的第二区不但在第一主表面外均被衬底的耗尽区所包围,而且还有具有中间电位的、未耗尽的中性区,所述第二种导电类型的第二区的中性区的电位值处于第一种导电类型的衬底中的中性区的电位和第二种导电类型的第一区的中性区的电位之间;所述第二种导电类型的第二区的中性区的顶部连有电极;所述第二种导电类型的第二区的中性区用作低压电源的一个输出端,而所述低压电源的另一个输出端是除所述第二种导电类型的第二区的中性区之外的任意一个中性区;或者,所述第二种导电类型的第二区的中性区和一半导体装置的输入端连接,所述半导体装置的输出端作为低压电源的一个输出端,所述低压电源的另一个输出端为除所述第二种导电类型的第二区的中性区之外的任意一个中性区。 | ||
地址 | 610054四川省成都市建设北路二段四号 |