芯片堆栈结构及其形成方法

摘要

本发明是一种芯片的封装结构及其形成方法，封装结构包括：芯片，其主动面和背面分别配置有多个焊垫及黏着层；封装体，环覆芯片的四个面以曝露出芯片的多个焊垫且形成有多个贯穿孔；图案化的第一保护层，形成在封装体的部份表面及部份芯片的主动面上，且曝露出该多个焊垫及多个贯穿孔；金属层，覆盖于图案化的第一保护层的部份表面且与该多个焊垫形成电性连接且填满多个贯穿孔；图案化的第二保护层，覆盖于图案化的第一保护层及部份金属层上且曝露出金属层的部份表面；多个图案化的UBM层，形成在已曝露的金属层的部份表面及图案化的第二保护层的部份表面上，且与金属层形成电性连接；多个导电组件，形成在多个图案化的UBM层上且通过其与金属层形成电性连接。

主权项

1.一种芯片的封装方法，包含：提供一载板，具有一正面及一背面；形成一封装体在该载板的该正面上，且具有多个贯穿孔在该封装体内以曝露出该载板的部份正面；贴附一芯片在该载板上，是将该芯片的一主动面朝上，且该芯片的一背面通过一黏着层贴附在该载板的已曝露的该正面上；形成一图案化的第一保护层在该封装体及在该芯片的部份主动面上，且曝露出该芯片的该主动面的这些焊垫及曝露出这些贯穿孔；形成一金属层覆盖在部份该图案化的第一保护层上且填满这些贯穿孔，并与该芯片的该主动面上的这些焊垫形成电性连接；形成一图案化的第二保护层在该图案化的第一保护层上且覆盖部份该金属层以曝露出该金属层的部份表面；形成多个图案化的UBM层在已曝露的该金属层的该部份表面上，且与该金属层形成电性连接；形成多个导电组件，是将这些导电组件通过这些图案化的UBM层与该金属层形成电性连接；及移除该载板，以形成一芯片封装结构。