| 发明名称 | 减小厚绝缘体层的粗糙度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及适用于电子学、光电子学和光学领域的衬底的制造方法，其特征在于，该方法至少包括以下顺序步骤：a)在第一所谓的“施主”衬底(1)上沉积厚度大于或等于20nm的绝缘体层(2)，该绝缘体层在2μm×2μm的扫描宽度内粗糙度大于或等于3埃RMS；b)利用内部气压大于0.25Pa的室体内所形成的气体等离子体对该绝缘体层(2)的自由表面(20)进行平滑处理(SP)，该等离子体由在一定功率下工作的射频RF发生器产生，其能将大于0.6W/cm<sup>2</sup>的功率密度施加于所述绝缘体层(2)，这种平滑处理的持续时间至少为10秒；以及c)通过注入原子类组分在所述施主衬底(1)内部形成脆化区域(10)，从而划分所谓的“活性”层(11)和剩余部分(12)。 | ||
| 申请公布号 | CN100576462C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200680030390.0 | 申请日期 | 2006.07.12 |
| 申请人 | SOI科技公司 | 发明人 | 尼古拉斯·达瓦尔;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒;塞西尔·奥尔耐特 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐江华;王珍仙 |
| 主权项 | 1、一种减小厚绝缘体层(2)的粗糙度的方法，该绝缘体层(2)沉积在用于电子学、光电子学和光学领域的衬底(1)上，其特征在于，该方法包括以下步骤：a)在施主衬底(1)上沉积厚度大于或等于20nm的绝缘体层(2)，该绝缘体层在2μm ×2μm的扫描宽度内粗糙度大于或等于3埃RMS；b)利用内部气压大于0.25Pa且小于30Pa的室体内所形成的气体等离子体对该绝缘体层(2)的自由表面(20)进行平滑等离子体处理(SP)，该等离子体由在一定功率下工作的射频RF发生器产生，其能将0.6到10W/cm2之间的功率密度施加于所述绝缘体层(2)，这种平滑处理的持续时间在10秒到200秒的范围内。 | ||
| 地址 | 法国贝宁 | ||