| 发明名称 | 制造Ⅲ族氮化物半导体元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种具有优良的静电放电特性和提高的可靠性的III族氮化物半导体元件的制造方法。在本发明的制造方法中，所述III族氮化物半导体元件在衬底上依次具有包括III族氮化物半导体的n型层、有源层以及p型层，其中在所述n型层的生长期间或/和之后并且在所述有源层的生长之前，减小所述半导体的生长速率。 | ||
| 申请公布号 | CN100576586C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200680009176.7 | 申请日期 | 2006.04.06 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 武田仁志 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李 峥 |
| 主权项 | 1.一种在衬底上依次具有包括III族氮化物半导体的n型层、有源层以及p型层的III族氮化物半导体元件的制造方法，其中，在所述n型层的生长期间，并且在所述有源层的生长之前，将所述半导体的生长速率减小到小于1μm/hr，其中用于减小所述生长速率的时长不小于30秒并且不大于4小时，在减小所述生长速率期间的所述衬底温度为900至1400℃。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||