一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法

摘要

一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法，涉及一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的工艺方法。目的是解决在采用常用的磁控溅射方法很难实现碳化硅涂层与钴基高温合金之间良好结合的问题。实现本发明方法包括的步骤：一、将钴基高温合金用氢氟酸清洗、丙酮溶液超声波清洗、酒精溶液超声波清洗和去离子水清洗；二、将处理后的钴基高温合金送入磁控溅射真空仓内，并抽真空，对钴基高温合金加热并保温；三、将仓内通入Ar气，施加脉冲负偏压对钴基高温合金表面反溅射；四：溅射功率启辉，对靶材表面预溅射；五、钴基高温合金表面进行正式溅射，沉积碳化硅高辐射涂层；六、关闭所有电源，待仓内温度降至室温，完成沉积。

主权项

1、一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法，其特征在于实现该包方法包括以下步骤：步骤一、将钴基高温合金用氢氟酸清洗10～20分钟；然后放入丙酮溶液中，用超声波清洗10～20分钟；再放入酒精溶液中，用超声波清洗10～20分钟；最后用去离子水清洗10～20分钟；步骤二、将处理后的钴基高温合金送入磁控溅射真空仓内，并将磁控溅射真空舱抽真空，当磁控溅射真空仓内的真空度达到10-4Pa时，对钴基高温合金加热，加热温度为25～500℃，然后进行保温10分钟～2小时；步骤三、将磁控溅射真空仓内通入Ar气，当磁控溅射真空仓内压强达到4～6Pa时，施加300～500V脉冲负偏压对钴基高温合金表面进行反溅射清洗10～20分钟；步骤四：施加溅射功率启辉，功率为60～200W，调节Ar气流量在10sccm～50sccm之间，对靶材表面预溅射3～5分钟；步骤五、调节磁控溅射真空仓内气体压强至0.1～2Pa之间时，在钴基高温合金表面施加40～200V的脉冲负偏压，溅射功率为150W，Ar气流量在10sccm～50sccm之间，在钴基高温合金表面进行正式溅射，沉积碳化硅高辐射涂层；步骤六、正式溅射结束，关闭所有电源，待磁控溅射真空仓内温度降至室温，完成对钴基高温合金表面碳化硅高辐射涂层的沉积。