发明名称 六英寸特大功率可控硅元件用陶瓷外壳的工艺方法
摘要 六英寸特大功率可控硅元件用陶瓷外壳的工艺方法,包括如下步骤:a)原料制备;b)成型;c)排蜡;d)烧结;e)施釉;步骤a)中,在球磨前,加植物油酸0.3%,进行球磨,时间为12小时;球磨开始后2小时,加植物油酸0.3%;球磨开始后4小时,再加植物油酸0.2%;步骤b)中,料浆温度70-75℃,压力0.6-0.8MPa,保压时间8-10秒;使用气缸压紧模具,模具型腔厚度15mm以上;步骤c)中,可控硅配套程控智能表进行加热控制;步骤d)中,烧结温度为1700℃,时间为30小时;步骤e)中,先在瓷件裙筋间不易喷到的地方涂釉,再在其表面喷釉。其优点在于,提高了工作效率,降低了产品烧结收缩时产生的裂变。
申请公布号 CN101615599A 申请公布日期 2009.12.30
申请号 CN200910162411.X 申请日期 2009.08.04
申请人 无锡市天宇精密陶瓷制造有限公司 发明人 朱洪卿;朱兴
分类号 H01L23/06(2006.01)I 主分类号 H01L23/06(2006.01)I
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 冯铁惠
主权项 1、六英寸特大功率可控硅元件用陶瓷外壳的工艺方法,其特征在于,包括如下步骤:a)原料制备;b)成型;c)排蜡;d)烧结;e)施釉;所述步骤a)中,在球磨前,加植物油酸0.3%(粉料重量),进行球磨,时间为12小时;球磨结束后2小时,加植物油酸0.3%;球磨结束后4小时,再加植物油酸0.2%;所述步骤b)中,料浆温度为70-75℃,压力为0.6-0.8MPa,保压时间8-10秒;使用气缸压紧模具,模具型腔厚度为15mm以上;所述步骤c)中,加热控制系统使用可控硅配套程控智能表进行控制;所述步骤d)中,烧结温度为1700℃,时间为30小时。
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