发明名称 | 参考电压产生电路 | ||
摘要 | 一种参考电压产生电路,包含:闭环支路,包含放大器,包含正输入端、负输入端及输出端,放大器的正输入端接收输入电压;第一MOS晶体管,包含栅极、源极及漏极,第一MOS晶体管的栅极耦接放大器的输出端,第一MOS晶体管的源极耦接放大器的负输入端;第二MOS晶体管,包含栅极、源极及漏极,第二MOS晶体管的栅极耦接第一MOS晶体管的漏极,第二MOS晶体管的源极耦接第一电压源,第二MOS晶体管的漏极耦接第一MOS晶体管的源极;开环支路,包含第三MOS晶体管,包含栅极、源极及漏极,第三MOS晶体管的栅极耦接放大器的输出端。本发明的参考电压产生电路,在低电压环境中可正常运作,可快速稳定并输出幅度相对较大的参考电压,并具有较少的功率消耗。 | ||
申请公布号 | CN101615048A | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
申请号 | CN200910119045.X | 申请日期 | 2009.03.19 |
申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 廖英闵;林育信 |
分类号 | G05F3/16(2006.01)I | 主分类号 | G05F3/16(2006.01)I |
代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 葛 强;张一军 |
主权项 | 1.一种参考电压产生电路,用以于一输出节点提供一参考电压,其特征在于,所述参考电压产生电路包含:一闭环支路,包含:一放大器,包含一正输入端、一负输入端及一输出端,其中所述放大器的正输入端用以接收一输入电压;一第一MOS晶体管,包含一栅极、一源极及一漏极,其中所述第一MOS晶体管的栅极耦接所述放大器的输出端,所述第一MOS晶体管的源极耦接所述放大器的负输入端;以及一第二MOS晶体管,包含一栅极、一源极及一漏极,其中所述第二MOS晶体管的栅极耦接所述第一MOS晶体管的漏极,所述第二MOS晶体管的源极耦接一第一电压源,所述第二MOS晶体管的漏极耦接所述第一MOS晶体管的源极;以及一开环支路,包含:一第三MOS晶体管,包含一栅极、一源极及一漏极,其中所述第三MOS晶体管的栅极耦接所述放大器的输出端。 | ||
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