| 发明名称 | 半导体硅片腐蚀液 | ||
| 摘要 | 一种半导体硅片腐蚀液，涉及微机械加工，按重量百分比，氢氧化钾20-30％，异丙醇10-15％，其余为水，搅拌均匀制成品，异丙醇对(100)硅片的晶向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀速度起到干扰作用，而对非晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度影响小，腐蚀如正六边形微机械结构、正八边形微机械结构时，在晶向线方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度相同，腐蚀如正六边形微机械结构、正八边形微机械结构不变形，适用于腐蚀加工晶向线方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向，如正六边形、正八边形等半导体(100)硅片的微机械结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101608308A | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200910017216.8 | 申请日期 | 2009.07.11 |
| 申请人 | 威海双丰物探设备股份有限公司 | 发明人 | 唐晓刚;杨仲华;刘静;张桂仙 |
| 分类号 | C23F1/40(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种半导体硅片腐蚀液，其特征是：按重量百分比，氢氧化钾20-30％，异丙醇10-15％，其余为水。 | ||
| 地址 | 264209山东省威海市高技区火炬路156号 | ||