| 发明名称 | 现场外掺杂半导体传输层 | ||
| 摘要 | 制造用于电子设备中的现场外掺杂半导体传输层的方法包括：在胶体溶液中生长第一组的具有表面有机配体的半导体纳米颗粒；在胶体溶液中生长第二组的具有表面有机配体的掺杂材料纳米颗粒；将第一组的半导体纳米颗粒和第二组的掺杂材料纳米颗粒的混合物沉积在表面上，其中有比掺杂材料纳米颗粒更多的半导体纳米颗粒；进行纳米颗粒的沉积混合物的第一次退火，这样有机配体从第一组和第二组的纳米颗粒的表面上煮掉；进行沉积混合物的第二次退火，这样半导体纳米颗粒熔结形成连续的半导体层和掺杂材料原子从掺杂材料纳米颗粒中扩散出去并进入到连续半导体层中。 | ||
| 申请公布号 | CN101611480A | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200780051563.1 | 申请日期 | 2007.12.10 |
| 申请人 | 伊斯曼柯达公司 | 发明人 | K·B·卡亨 |
| 分类号 | H01L21/368(2006.01)I;H01L21/208(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/368(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 段晓玲;范 赤 |
| 主权项 | 1.制造用于电子设备中的现场外掺杂半导体传输层的方法，该方法包括以下步骤：(a)在胶体溶液中生长第一组的具有表面有机配体的半导体纳米颗粒；(b)在胶体溶液中生长第二组的具有表面有机配体的掺杂材料纳米颗粒；(c)将第一组的半导体纳米颗粒和第二组的掺杂材料纳米颗粒的混合物沉积在表面上，其中有比掺杂材料纳米颗粒更多的半导体纳米颗粒；(d)进行纳米颗粒的沉积混合物的第一次退火，这样有机配体从第一组和第二组的纳米颗粒的表面上煮掉；和(e)进行沉积混合物的第二次退火，这样半导体纳米颗粒熔结形成连续的半导体层和掺杂材料原子从掺杂材料纳米颗粒中扩散出去并进入到连续半导体层中而得到现场外掺杂半导体传输层。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||