| 发明名称 | 一种硅薄膜太阳电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅薄膜太阳电池及其制备方法。在透明导电衬底上面从下到上依次相叠有下述各层：n型非晶硅薄膜、i型非晶硅薄膜、p型si薄膜，在p型si薄膜上依次相叠i型非晶硅薄膜、n型非晶硅薄膜、透明导电薄膜(TCO)制成双结硅薄膜太阳电池；或者在p型si薄膜上直接沉积一层Al膜制成单结硅薄膜太阳电池。本发明衬底选择范围广、成本低，光电转换效率高、沉积温度低，工艺简单。 | ||
| 申请公布号 | CN101609852A | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200910304355.9 | 申请日期 | 2009.07.15 |
| 申请人 | 湖南师范大学 | 发明人 | 羊亿;罗云荣 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 长沙星耀专利事务所 | 代理人 | 赵静华 |
| 主权项 | 1.一种硅薄膜太阳电池，其特征在于，在透明导电衬底上面从下到上依次相叠有下述各层：n型非晶硅薄膜、i型非晶硅薄膜、p型si薄膜，在p型si薄膜上依次相叠i型非晶硅薄膜、n型非晶硅薄膜、透明导电薄膜(TCO)制成双结硅薄膜太阳电池；或者在p型si薄膜上直接沉积一层Al膜制成单结硅薄膜太阳电池。 | ||
| 地址 | 410081湖南省长沙市岳麓区麓山路36号 | ||