| 发明名称 | 单晶片边缘不对称倒角加工方法 | ||
| 摘要 | 单晶片边缘不对称倒角加工方法属于半导体器件制造技术领域。现有单晶片边缘倒角为对称倒角，当将单晶片一侧的扩散层去除后，边缘倒角变成不对称倒角，这种不对称倒角应力大，容易导致崩边、暗纹碎片。本发明是将单晶棒滚圆，垂直于单晶棒轴线切割，得到圆片状单晶片，将单晶片划分为去除层和保留层两部分；将去除层边缘倒角成一种形状；将保留层边缘倒角成另一种形状，并且，所形成的保留层倒角相对于位于保留层一半厚度处且平行于单晶片表面的平面对称；由所形成的去除层倒角与所形成的保留层倒角构成的单晶片边缘倒角相对于位于单晶片一半厚度处且平行于单晶片表面的平面不对称。本发明应用于半导体器件制造领域中的衬底片加工工序中。 | ||
| 申请公布号 | CN101607377A | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200910067253.X | 申请日期 | 2009.07.07 |
| 申请人 | 吉林华微电子股份有限公司 | 发明人 | 商亚峰;姚志勇;常江;李昱鑫 |
| 分类号 | B24B9/06(2006.01)I | 主分类号 | B24B9/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种单晶片边缘不对称倒角加工方法，将单晶棒滚圆，垂直于单晶棒轴线切割，得到圆片状单晶片，其特征在于，将单晶片划分为去除层(4)和保留层(5)两部分；将去除层(4)边缘倒角成一种形状；将保留层(5)边缘倒角成另一种形状，并且，所形成的保留层倒角(7)相对于位于保留层(5)一半厚度处且平行于单晶片表面的平面对称；由所形成的去除层倒角(6)与所形成的保留层倒角(7)构成的单晶片边缘倒角相对于位于单晶片一半厚度处且平行于单晶片表面的平面不对称。 | ||
| 地址 | 132013吉林省吉林市深圳街99号 | ||