| 发明名称 | 使用混合式辅助特征系统形成半导体器件的图案的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于形成半导体器件的图案的方法包括在晶片的密集图案区域中设置要被转印的密集图案。在密集图案外的区域中插入用于限制密集图案的图案变形的第一虚设图案。在第一虚设图案内的区域中插入用于限制第一虚设图案的图案变形的第一辅助特征。在第一虚设图案外的区域中插入用于额外限制第一虚设图案的图案变形的第二辅助特征的阵列，以便设计要被转印至晶片上的图案布局。通过以曝光工艺转印图案布局至晶片上，形成第一虚设图案和密集图案的阵列。 | ||
| 申请公布号 | CN101609787A | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200810186656.1 | 申请日期 | 2008.12.16 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李钿揆 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I;G03F1/14(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 1.一种用于形成半导体器件的图案的方法，所述方法包括：设置要被转印的密集图案至晶片的密集图案区域中；在所述密集图案外的区域中插入用于限制所述密集图案的图案变形的第一虚设图案；在所述第一虚设图案内的区域中插入用于限制所述第一虚设图案的图案变形的第一辅助特征；在所述第一虚设图案外的区域中插入用于额外限制所述第一虚设图案的图案变形的第二辅助特征的阵列，以设计要被转印至所述晶片上的图案布局；以及通过以曝光工艺转印所述图案布局至所述晶片上，形成所述第一虚设图案和所述密集图案的阵列。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||