| 发明名称 | 相变存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种相变存储装置，包括：基板，其包括叠层结构，上述叠层结构包括多个绝缘层和多个导电层，其中任两层相邻的上述导电层被上述多个绝缘层的其中之一隔开；第一电极结构，形成于上述叠层结构上，且上述第一电极结构具有第一侧壁和第二侧壁；多个加热电极，设置于多个上述导电层上，且邻接于上述第一电极结构的上述第一侧壁和上述第二侧壁；以及一对相变材料间隙壁，设置于上述第一电极结构的上述第一侧壁和上述第二侧壁上，且覆盖于上述多个加热电极上。 | ||
| 申请公布号 | CN100573950C | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200610166764.3 | 申请日期 | 2006.12.14 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 陈维恕 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种相变存储装置，包括：基板，其包括叠层结构，该叠层结构包括多个绝缘层和多个导电层，其中任两层相邻的该导电层被该多个绝缘层的其中之一隔开；第一电极结构，形成于该叠层结构上，且该第一电极结构具有第一侧壁和第二侧壁；多个加热电极，设置于多个该导电层上，且邻接于该第一电极结构的该第一侧壁和该第二侧壁；以及一对相变材料间隙壁，设置于该第一电极结构的该第一侧壁和该第二侧壁上，且覆盖于该多个加热电极上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||