发明名称 |
利用表面等离子体来增加能量吸收效率的半导体传感器 |
摘要 |
一种半导体传感器(100),包括:半导体层(102),其具有在该半导体层(102)一侧的接收入射辐射能(110)的入射表面(104)和在该半导体层(102)的另一侧的波纹表面;以及金属层(106),其具有波纹表面,该波纹表面与半导体层(102)的波纹表面匹配并且与半导体层(102)的波纹表面接触,以在半导体层(102)和该金属层(106)之间形成波纹界面(108)。该波纹界面(108)与所述半导体层(102)的所述入射表面(104)基本平行,并且了能量吸收路径,通过该能量吸收路径入射辐射能(110)被吸收。 |
申请公布号 |
CN100573893C |
申请公布日期 |
2009.12.23 |
申请号 |
CN200710000843.1 |
申请日期 |
2007.01.12 |
申请人 |
安华高科技杰纳勒尔IP(新加坡)私人有限公司 |
发明人 |
拉塞尔·W·格鲁克;查尔斯·E·波特 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
王 怡 |
主权项 |
1.一种半导体传感器(100),包括:半导体层(102),其具有在所述半导体层(102)一侧的接收入射辐射能(110)的入射表面(104)和在所述半导体层(102)的另一侧的波纹表面;以及金属层(106),其具有波纹表面,该波纹表面与所述半导体层(102)的波纹表面匹配并且与所述半导体层(102)的波纹表面接触,以在所述半导体层(102)和所述金属层(106)之间形成波纹界面(108),所述波纹界面(108)与所述半导体层(102)的所述入射表面(104)基本平行;其中,所述半导体层(102)与所述金属层(106)之间的所述波纹界面(108)提供能量吸收路径,通过所述能量吸收路径所述入射辐射能(110)被吸收,并且其中,所述入射辐射能(110)包括光子,所述光子穿透所述半导体层(102)并且入射到所述波纹界面(108),在所述波纹界面中所述光子被转换成表面等离子体(112),所述表面等离子体沿与所述半导体层(102)的入射表面(104)基本平行的所述波纹界面(108)传输,并且产生延伸到所述半导体层(102)中并且在所述半导体层(102)中产生电子-空穴对(124,126)的的瞬失波。 |
地址 |
新加坡新加坡市 |