一种在控制闸极与浮动闸极间增加重叠之闸极记忆体单元装置与相关制造方法

摘要

一种制造浮动闸极记忆体装置之方法，包含利用位于浮动闸极之下的埋藏扩散氧化物，藉以在浮动闸极与埋藏扩散氧化物之间，制造增加之阶梯高度。增加之阶梯高度可提供更高之GCR，但仍可减低使用虚拟接地阵列设计之记忆单元尺寸。

主权项

一种浮动闸极记忆体装置，其包含：一基材，包含埋藏扩散区域以及一浅凹陷于该埋藏扩散区域中；一第一介电层；一浮动闸极，形成于该第一介电层之上；一埋藏扩散氧化层，形成于该浅凹陷之中，其中该浮动闸极之顶部系高于该埋藏扩散氧化层之顶部；以及一第二介电层，形成于该浮动闸极与该埋藏扩散氧化层之上，其中该第二介电层系利用沈积方式形成。