| 摘要 |
Transistor (100) à grille (116) et plan de masse (104a) auto-alignés, comportant : - un substrat (102) à base de semi-conducteur, - une portion (104a) de matériau organométallique dont une première face est disposée en regard d'une face du substrat, formant le plan de masse du transistor, - une couche (106) diélectrique dont une première face est disposée contre une seconde face de la portion de matériau organométallique opposée à la première face de la portion de matériau organométallique, - des portions diélectriques (120, 124) disposées entre la face du substrat et la première face de la couche diélectrique, autour de la portion de matériau organométallique, une section, dans un plan sensiblement parallèle à la face du substrat, de la grille du transistor étant sensiblement égale à une section de la portion de matériau organométallique dans ledit plan.
|
