Cr³⁺、Nd³⁺:YVO₄晶体和Cr³⁺、Nd³⁺:YVO₄晶体的制备方法

摘要

本发明涉及激光材料领域，尤其涉及Cr³⁺、Nd³⁺:YVO₄晶体和Cr⁴⁺、Nd³⁺:YVO₄晶体的制备方法。本发明的晶体制备方法，主要包括两个步骤，即多晶料合成及晶体生长。多晶料合成，分别采用固相法合成或者液相法合成。晶体生长包括步骤：D.熔化晶体：将烧结后的多晶块在一定温度下熔化，清洗籽晶并将熔体在此温度下恒温一定时间；E.晶体提拉生长：降低一定温度，以一定提拉速度，一定转速，开始晶体生长；F.晶体退火：将晶体提升脱离液面，按一定降温速率分阶段冷却至室温。本发明用提拉法容易地生长出大尺寸，高质量的晶体，生长速度快，有优良的光学特性。

主权项

1.Cr3+、Nd3+:YVO4晶体和Cr4+、Nd3+:YVO4晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：多晶料合成步骤，包括：A.原料烘干：将一定纯度的原料在一定温度下烘干去水；B.混合原料：将烘干后的原料按一定比例称样、混合处理、压片；C.烧结原料：将压片后的原料在一定温度下烧结一定时间；晶体生长步骤，包括：D.熔化多晶料：将烧结后的多晶块在一定温度下熔化，清洗籽晶并将熔体在此温度下恒温一定时间；E.晶体提拉生长：降低一定温度，以一定提拉速度，一定转速，开始晶体生长；F.晶体退火：将晶体提升脱离液面，按一定降温速率分阶段冷却至室温。