一种深紫外发光二极管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种深紫外发光二极管(LED)及其制备方法，采用低温GaN插入层取代AlN/AlGaN超晶格或高温GaN插入层来生长深紫外LED，该低温GaN插入层是在温度400-900℃，压力30-200torr，V/III 1500-2500条件下生长的厚度为20-50nm的GaN层。该方法可有效降低外延AlGaN层以及量子阱中的位错密度，提高表面平整度，所制备的LED器件表面光滑，晶体质量良好，开启电压下降，器件的串联电阻较小，电致发光峰值在300-370nm。

主权项

1.一种深紫外发光二极管，包括在衬底上依次叠加的AlN模板层、低温GaN插入层、AlGaN过渡层、n型AlGaN层、AlGaN有源层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN过渡层和p型GaN层，其中：AlGaN有源层为发射深紫外光波段的量子阱；n型AlGaN层作为n型接触层；p型GaN层作为p型接触层；低温GaN插入层是在温度400-900℃，压力30-200torr，V/III 1500-2500条件下生长的厚度为20-50nm的GaN层。