| 发明名称 | 半导体装置及制造该半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体装置，其具有在电极之间具有钙钛矿结构的结晶介电膜。该半导体装置至少包括在结晶介电膜的柱形晶体部分中的不连续界面，通过该界面结晶性变为不连续的。 | ||
| 申请公布号 | CN100570899C | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200710100621.7 | 申请日期 | 2007.02.28 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 堀内悟志 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01G4/33(2006.01)I;H01G4/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 韦欣华;段晓玲 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其具有在第一电极和第二电极之间具有钙钛矿结构的结晶介电膜，该半导体装置包括在结晶介电膜的柱形晶体部分中的不连续界面，通过该界面结晶介电膜的结晶性变为不连续的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||