| 发明名称 | 超高纵横比电介质刻蚀 | ||
| 摘要 | 提供一种透过碳基掩模在电介质层中刻蚀超高纵横比特征的方法。相对于该碳基掩模选择性刻蚀该电介质层，其中该选择性刻蚀提供基于碳氟化合物的聚合物在该碳基掩模上的净沉积。停止该选择性刻蚀。使用修整，相对于该碳基掩模选择性除去该碳氟化合物的聚合物，以便该碳基掩模保留。停止该选择性除去该碳氟化合物的聚合物。再次相对于该碳基掩模选择性刻蚀该电介质层，其中该第二选择性刻蚀提供基于碳氟化合物的聚合物在该碳基掩模上的净沉积。 | ||
| 申请公布号 | CN101606231A | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200880004170.X | 申请日期 | 2008.02.04 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 池贞浩;埃里克·A·埃德尔伯格 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 1.一种透过碳基掩模在电介质层中刻蚀超高纵横比特征的方法，包含：相对于该碳基掩模第一选择性刻蚀该电介质层，其中该第一选择性刻蚀提供基于碳氟化合物的聚合物在该碳基掩模上的净沉积；停止该选择性刻蚀；使用修整，相对于该碳基掩模选择性除去该碳氟化合物的聚合物，以便该碳基掩模保留；停止该选择性除去该碳氟化合物的聚合物；以及相对于该碳基掩模第二选择性刻蚀该电介质层，其中该第二选择性刻蚀提供基于碳氟化合物的聚合物在该碳基掩模上的净沉积。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||