| 发明名称 | 薄膜晶体管、主动阵列基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管、具有该薄膜晶体管的主动阵列基板及其制造方法。该薄膜晶体管包括：一基底，具有一凹槽；一栅极，位于该凹槽内，该栅极的上表面大体呈弧状；一栅绝缘层，位于该栅极上，其中至少部份该栅绝缘层位于该凹槽内；一通道层，位于该栅绝缘层上；以及一源极以及一漏极，位于该通道层上并分别对应该栅极的两侧。 | ||
| 申请公布号 | CN100570896C | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200810090659.5 | 申请日期 | 2008.04.07 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 林汉涂;杨智钧;廖金阅;陈建宏 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁 挥;祁建国 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一基底，具有一凹槽；一栅极，位于该凹槽内，该栅极的上表面大体呈弧状；一栅绝缘层，位于该栅极上，其中至少部份该栅绝缘层位于该凹槽内；一通道层，位于该栅绝缘层上；以及一源极以及一漏极，位于该通道层上并分别对应该栅极的两侧。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||