发明名称 |
阵列基板及其制造方法和液晶显示装置 |
摘要 |
本发明涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示装置。该阵列基板包括衬底基板、栅极扫描线、栅极绝缘层、钝化层和像素电极,在衬底基板上还布设有第一电极,与像素电极区域形成存储电容,其中:在第一电极和像素电极之间还设有阻隔层。该方法包括:在衬底基板上形成栅极扫描线和第一电极;沉积栅极绝缘层;形成有源层;形成数据线、源电极、漏电极和阻隔层,该阻隔层形成在第一电极的上方;形成钝化层和钝化层过孔;形成像素电极。该液晶显示装置采用本发明的阵列基板。本发明采用在存储电容结构第一电极和第二电极之间设置阻隔层的技术手段,避免了重叠区域出现绝缘层空洞导致第一、第二电极导通而使产品不良的问题,提高了产品合格率。 |
申请公布号 |
CN101604695A |
申请公布日期 |
2009.12.16 |
申请号 |
CN200810114615.1 |
申请日期 |
2008.06.10 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
彭志龙;王威;何祥飞;秦纬 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘 芳 |
主权项 |
1、一种阵列基板,包括衬底基板,以及逐层布设在所述衬底基板上的栅极扫描线、栅极绝缘层、钝化层和像素电极,在所述衬底基板上还布设有第一电极,所述第一电极与所述像素电极区域至少部分重叠以形成存储电容,其特征在于:在所述第一电极和所述像素电极之间还设有阻隔层。 |
地址 |
100176北京市经济技术开发区西环中路8号 |