| 发明名称 | 具有双外延沟道和自对准接点的CMOS器件 | ||
| 摘要 | 一种具有双外延沟道的CMOS器件，其包括形成在衬底上的第一外延区域，形成在该第一外延区域上的PMOS器件，形成在衬底上的第二外延区域，其中该第二外延区域由不同于该第一外延区域的材料形成，形成在该第二外延区域上的NMOS器件，以及耦合于PMOS器件和NMOS器件的电接点，其中该电接点是自对准的。 | ||
| 申请公布号 | CN101606240A | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200880001497.1 | 申请日期 | 2008.03.14 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | P·拉纳德;K·E·扎瓦奇基 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 朱海煜;王丹昕 |
| 主权项 | 1、一种CMOS器件，包括：第一外延区域；形成在所述第一外延区域上的PMOS器件；第二外延区域，其中所述第二外延区域由不同于所述第一外延区域的材料形成；形成在所述第二外延区域上的NMOS器件；以及耦合于所述PMOS器件和NMOS器件的电接点，其中所述电接点是自对准的。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||