摘要 |
ESTA INVENÇÃO REFERE-SE À UTILIZAÇÃO INTENSIVA DE ELEMENTOS ACTIVOS, DO TIPO DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA COMANDADOS À ABERTURA E AO FECHO, PODENDO SER DO TIPO TRANSÍSTOR DE EFEITO DE CAMPO DE PORTA ISOLADA, TRANSÍSTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA, TIRISTOR DE CORTE COMANDADO, TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO, TRANSÍSTOR DE INDUÇÃO ESTÁTICA, TIRISTOR CONTROLADO POR ESTRUTURAS METAL OXIDO SEMICONDUTOR OU OUTRO DISPOSITIVO COM FUNÇÕES ANÁLOGAS, EM CONJUNTO COM DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA NÃO COMANDADOS DO TIPO DÍODO, NAS MALHAS DE CARGA E DESCARGA DE CONDENSADORES DE ARMAZENAMENTO DE ENERGIA NUMA TOPOLOGIA DE CIRCUITO MODULAR BASEADA NO MULTIPLICADOR DE TENSÃO, EM QUE VÁRIOS CONDENSADORES PARTILHAM UMA MESMA LIGAÇÃO E SUPORTAM TENSÕES DIFERENTES CRESCENTES, E NO GERADOR DE MARX, EM QUE VÁRIOS CONDENSADORES SÃO CARREGADOS EM PARALELO ATRAVÉS DE UMA FONTE DE ALIMENTAÇÃO ALTERNADA E DESCARREGADOS EM SÉRIE SOBRE UMA CARGA, PARA OBTER UM MULTIPLICADOR DE TENSÃO PULSADO, CARACTERIZADO POR GERAR IMPULSOS RECTANGULARES DE TENSÃO POSITIVA E NEGATIVA DE ALTA TENSÃO (KV) E ALTA-FREQUÊNCIA (KHZ), EM CARGAS DO TIPO RESISTIDO E/OU CAPACITIVO. PARA CARGAS CAPACITIVAS, O CIRCUITO DESCARREGA AS CAPACIDADES DO SISTEMA ASSOCIADAS COM A CARGA, DEPOIS DE CADA IMPULSO POSITIVO E NEGATIVO. A TOPOLOGIA DE CIRCUITO INVENTADA TEM A FLEXIBILIDADE DE GERAR UMA ALTA TENSÃO CONTÍNUA E APLICÁ-LA NA FORMA DE IMPULSOS A UMA CARGA. ADICIONALMENTE, A TOPOLOGIA DE CIRCUITO INVENTADA VARIA, DE FORMA PROGRAMÁVEL EXTERIORMENTE, A FREQUÊNCIA BEM COMO A LARGURA DOS. IMPULSOS E O FACTOR DE CICLO DOS IMPULSOS POSITIVOS E NEGATIVOS, A PARTIR DE UMA FONTE DE TENSÃO ALTERNADA. LIMITANDO AS TENSÕES DE BLOQUEIO DOS SEMICONDUTORES À TENSÃO DE CADA ESTÁGIO, OU SEJA, AO VALOR DA TENSÃO DE CADA CONDENSADOR DE ARMAZENAMENTO DE ENERGIA, NO FUNCIONAMENTO NORMAL, EM CASO DE DESIGUALDADE DE TEMPOS DE COMUTAÇÃO OU EM CASO DE FALHA DE UM ESTÁGIO.
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