发明名称 具有射频旁通/输出匹配网路之封装射频功率电晶体
摘要 宽频射频功率电晶体放大器的线性改良藉由包括输出匹配电路与一整合的偏压/射频双讯器(射频影像旁通电容器网路在电晶体封装内且直接连于该电晶体)。藉由放置该射频影像旁通功率供应电路于封装内且靠近该电晶体,该输入阻抗共振可以从约50MHz增加至超过125MHz,因而减少在输出信号中的AM/PM失真。
申请公布号 TWI318455 申请公布日期 2009.12.11
申请号 TW092126215 申请日期 2003.09.23
申请人 克瑞微波有限责任公司 发明人 艾米尔 克利森希
分类号 H01L29/772 主分类号 H01L29/772
代理机构 代理人 林志刚
主权项 一种封装射频功率装置,包含a)至少一个电晶体,b)耦合于该电晶体的一射频信号输入线,c)耦合于电晶体的一接地端,d)耦合于该电晶体的一射频信号输出线,e)耦合于该射频信号输出线的一输出匹配电路与一射频影像旁通电路,及f)一用于安装元件a)该电晶体与e)该输出匹配电路与该射频影像旁通电路的封装,以其元件b)该射频信号输入线、c)该接地端及d)该射频信号输出线延伸自封装。
地址 美国