发明名称 薄膜电晶体基材及其制造方法
摘要 本发明之具体例提供一种薄膜电晶体基材,该基材包含绝缘基材;形成在该绝缘基材上的闸极布线;包含无机材料、形成在该闸极布线上且具有第一绝缘层接触孔以暴露至少一部分该闸极布线的第一闸极绝缘层;包含有机材料、形成在该第一闸极绝缘膜上,且具有对应该第一绝缘层接触孔设置之第二绝缘层接触孔的第二闸极绝缘层;形成在该第二闸极绝缘层上且彼此分隔以定义通造区域之源极及汲极;以及形成在该通道区域中的有机半导体层。因此,本发明提供一种有机TFT基材,其中已改良该TFT之特性。
申请公布号 TWI318458 申请公布日期 2009.12.11
申请号 TW095119026 申请日期 2006.05.29
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 宋根圭;金永敏;崔泰荣
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项 一种薄膜电晶体基材,包含绝缘基材;形成在该绝缘基材上的闸极布线;包含无机材料、形成在该闸极布线上且具有第一绝缘层接触孔以暴露至少一部分该闸极布线的第一闸极绝缘层;包含有机材料、形成在该第一闸极绝缘膜上,且具有对应该第一绝缘层接触孔设置之第二绝缘层接触孔的第二闸极绝缘层;形成在该第二闸极绝缘层上且彼此分隔以定义通道区域之源极及汲极;形成在该通道区域中的有机半导体层;形成在该有机半导体层上且由以氟为主之聚合物组成之第一钝化层;以及形成在该第一钝化层上且由透明电极材料制成之第二钝化层。
地址 南韩