发明名称 半透过型边缘电场切换模式之液晶显示器
摘要 本发明乃揭示一种能显示高品质影像之半透过型边缘电场切换模式之液晶显示器。该半透过型液晶显示器包含一具有相对电极和像素电极之下基板、一藉由插入一液晶层而配列于与下基板相对方向之上基板、一上偏振光板、一下偏振光板、一设置在下基板内部之反射板、一下λ/2光板、及一上λ/2光板。该反射区之像素电极之倾角、狭缝宽度、及狭缝间隔和穿透区之像素电极之倾角、狭缝宽度、及狭缝间隔不同。在反射区之液晶层之相位延迟大约为0~λ/4,在穿透区之相位延迟大约为0~λ/2。
申请公布号 TWI318313 申请公布日期 2009.12.11
申请号 TW094129703 申请日期 2005.08.30
申请人 海帝士科技公司 发明人 郑然鹤;金香律;朴准伯;金贵铉
分类号 G02F1/133 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人 郑再钦
主权项 一种具有双晶胞间隙结构之半透过型边缘电场切换模式之液晶显示器,其中穿透区之晶胞间隙和反射区之晶胞间隙不同,该半透过型边缘电场切换模式之液晶显示器包括:一下基板,具有狭缝形状之相对电极和像素电极;一上基板,系配列于与下基板相对之处;一液晶层,系介于上、下基板之间;一上偏振光板,系配列于该上基板之外部;一下偏振光板,系配列于该下基板之外部;一反射板,系经由插入一有机树脂层而被设置于反射区之下基板之内部;一下λ/2光板,系设置于下基板和下偏振光板之间;及一上λ/2光板,系设置于上基板和上偏振光板之间,其中形成于反射区之像素电极之倾角、狭缝宽度、及狭缝间隔,系不同于形成于穿透区之像素电极之倾角、狭缝宽度、及狭缝间隔,形成于反射区之液晶层之相位延迟约介于0~λ/4,而形成于穿透区之液晶层之相位延迟值大约介于0~λ/2。
地址 南韩