| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体装置,包含:复数个程式/选择线以横列方向且互相间隔以一定间距方式布线:复数个字元线以直行方向且互相间隔以一定间距,并与该等程式/选择线垂直形成复数个正方形矩阵方式布线;复数个控制线以和该等位元线一对一配对相同直行方向布线,且和该等位元线相邻;复数个胞体,各胞体放在一正方形中,各胞体包含一源极、一汲极、一通道区域、一种式/选择闸用来选取欲程式化胞体及藉由带电载子接收方式执行程式化、一浮闸其在擦拭中藉通过透纳二极体之通道区域的方式来贮存带电载子及在程式化时将贮的带电载子经由透纳二极体送至程式/选择闸、与一控制闸用来控制来自该浮闸至程式/选择闸的带电载子数量;其中置于同一横列胞体中的程式/选择闸共接于该等程式/选择线之一,置于同一直行胞体中的控制闸共接于该等控制线之一,以及置于同一横列胞体中源极(或汲极)与相邻横列胞体中之汲极(或源极)共接于该等位元线之一。2.依据申请专利范围第1项的非挥发性记忆体装置,其中该非挥发性记忆体装置在进行程式模式时,施加10V至选取的程式/选择线,0V至未选取的程式/选择线,-6V--3V至选取的控制闸线,5V至未选取的控制闸线,1V至一选取的第n个位元线BLn,0V至一选取的第n-1个位元线BLn-1,1V至未选取的位元线(BLm之一,m≧n+1),与0V至其他未选取的位元线(其他之BLm,m≧n+1)。3.依据申请专利范围第1项的非挥发性记忆体装置,其中该非挥发性记忆体装置在执行擦拭模式运作利用程式/选择线使用一透纳机构,施加-8V至选取的程式/选择线,0V至未选取的程式/选择线,8V至选取的控制线,0V至未选取的控制线,与0V至基体,以及所有位元线为浮动。4.依据申请专利范围第1项的非挥发性记忆体装置,其中该非挥发性记忆体装置在执行擦拭模式经由位元线使用一透纳机构,施加0V至选取的程式/选择线,0V至未选取程式/选择线,10V至选取的控制线,0V至未选取的位元线为浮动。5.依据申请专利范围第1项的非挥发性记忆体装置,其中该非挥发性记忆体装置在执行擦拭模式使用一热载子机构经由汲极施加5V至选取的程式/选择线,0V至未选取的程式/选择线,12V至选取的控制线,0V至未选取控制线,7V至选取的位元线,及0V至基体,与未选取位元线为浮动。6.依据申请专利范围第1项的非挥发性记忆体装置,其中该非挥发性记忆体装置在执行擦拭模式是经由源极使用一热载子喷射机构,其施加2V至选取的程式/选择线,0V至未选取的程式/选择线,10V至选取的控制线,0V至未选取的控制线,5V至选取的位元线,及0V至基体,与未选取位元线为浮动。7.依据申请专利范围第1项的非挥发性记忆体装置,其中该非挥发性记忆体装置,其中当该非挥发性记忆体装置在执行读取模式,其施以一直流(DC)电压至选取的程式/选择线,OV至未选取的程式/选择线,DC电压至选取的控制线,OV至未选取的控制线,1V至选取的位元线,1V至未选取位元线(BLm中之1,m≧n+1),及0V至其他未选取位元线(其他的BLm,m≧n+1)图示简单说明:图一A为说明最一般性非挥发性记忆胞之电路图;图一B曲线为解说图一A该非挥发性记忆体之自动辨识程式化原理;图二A说明简单堆叠闸极结构之先前技艺非挥发性记忆胞之电路图;图二B说明分割通道结构之先前技艺非挥发性记忆胞之电路图;图三A说明依本发明之一较佳实施例之非挥发性记忆胞之电路图;图三B展示图三A该非挥发性记忆胞着眼其功能之电路图;图三C展示图三A所示该非挥发性记忆胞程式化操作时之电流路径;图四展示电流侦测法作为程式化一非挥发性记忆胞之过程;图五A-五H展示图四各节点之波形;图六展示依本发明之单一或多位阶程式化过程之流程图;图七A说明图三A所示该非挥发性记忆胞之电容等效电路图;图七B说明欲程式化之临界位阶和相关供给控制闸电压之关系,和多位阶程式化里各位阶起始浮闸电压和参考电流之关系;图七C曲线展示多位阶程式化里电晶体之启通和关闭点与程式化结束点和汲极电流之关系;图八A为解说依本发明使用电压侦测方法作为程式化一非挥性记忆胞之过程;图八B展示图八A所示该电压侦测器之另一实施例的电路图;图九A显示依本发明之一较佳实施例的一非挥发性记忆体之电路;图九B显示图九A之非挥发性记忆体各线充电之电压分配表。 |
