| 发明名称 | 涂布有凸点的半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 描述了将有凸点的晶片的有源面涂布正面保护(FSP)材料或晶片级底部填充剂(WLUF)，而不会使焊料凸点污染上涂料和/或填料的方法。在该方法中，将防护材料施加在晶片有源面上焊料凸点的顶部，然后用涂料涂布晶片的正面，对涂料进行硬化，并且任选地将防护材料从焊料凸点去除。 | ||
| 申请公布号 | CN101595553A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200680056544.3 | 申请日期 | 2006.12.08 |
| 申请人 | 汉高股份两合公司 | 发明人 | D·怀亚特;G·达特;A·P·珀瑞兹 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民;路小龙 |
| 主权项 | 1.一种涂布半导体晶片的有源面的方法，所述半导体晶片的有源面具有沉积在其上的焊料凸点，所述方法包括：(a)提供半导体晶片，其具有正面和与所述正面相对的背面，所述正面是有源的并具有沉积在其上的焊料凸点，(b)将防护材料施加在所述焊料凸点的顶部，(c)用涂料涂布所述晶片的所述正面，(d)硬化所述涂料，以及(e)任选地，将所述防护材料从所述焊料凸点去除。 | ||
| 地址 | 德国杜塞尔多夫 | ||