| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，所述器件包括衬底，以及形成在所述衬底上的第一n型氮化物半导体层、发光层、第一p型氮化物半导体层、第二p型氮化物半导体层、p型氮化物半导体隧道结层、n型氮化物半导体隧道结层和第二n型氮化物半导体层，所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层形成了隧道结，并且所述p型氮化物半导体隧道结层具有比所述第二p型氮化物半导体层的铟含量比率更高的铟含量比率。所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层中的至少一个包括铝。 | ||
| 申请公布号 | CN101593805A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200910149974.5 | 申请日期 | 2007.11.22 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 驹田聪 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邱 军 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体发光器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的第一n型氮化物半导体层；形成在所述第一n型氮化物半导体层上的发光层；形成在所述发光层上的p型氮化物半导体层；形成在所述p型氮化物半导体层上的p型氮化物半导体隧道结层；形成在所述p型氮化物半导体隧道结层上的n型氮化物半导体隧道结层；以及形成在所述n型氮化物半导体隧道结层上的第二n型氮化物半导体层；以及其中所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层形成隧道结，并且所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层中的至少一个包括铝；其中所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层中的至少一个的铝含量为不小于1原子百分比且不大于5原子百分比。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||