发明名称 | 掺锗的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种掺锗的定向凝固铸造单晶硅,含有浓度为1×10<sup>15</sup>~1×10<sup>17</sup>/cm<sup>3</sup>的硼、镓或磷,还含有浓度为1×10<sup>18</sup>~5×10<sup>20</sup>/cm<sup>3</sup>的锗。本发明还公开了其制备方法,包括:将多晶硅、锗和电活性掺杂剂置于平铺在坩锅底部的无位错的单晶硅块上,通过热场调节,使多晶硅、锗和掺杂剂完全融化,无位错的单晶硅块部分融化,再通过热交换进行定向凝固,将未融化的部分无位错的单晶硅块作为籽晶,诱导从下至上生长掺锗铸造单晶硅。产物机械强度高、少子寿命高,可用于高效率的薄片太阳能电池的制备,生产成本大大降低。 | ||
申请公布号 | CN101591808A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
申请号 | CN200910099991.2 | 申请日期 | 2009.06.24 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 余学功;杨德仁 |
分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B11/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 胡红娟 |
主权项 | 1、一种掺锗的定向凝固铸造单晶硅,其特征在于:含有浓度为1×1015~1×1017/cm3的硼、镓或磷,还含有浓度为1×1018~5×1020/cm3的锗。 | ||
地址 | 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |