| 发明名称 | 多晶硅栅极、半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种多晶硅栅极形成方法，包括：在基底上形成牺牲层；在所述牺牲层内形成沟槽，所述沟槽暴露所述基底；形成覆盖所述牺牲层、所述沟槽侧壁及底壁的介质层；形成覆盖所述介质层并填充所述沟槽的多晶硅层；执行平坦化操作，去除覆盖所述牺牲层的所述介质层；去除所述牺牲层。本发明还提供了一种多晶硅栅极。可使形成的多晶硅栅极的根部缺陷得到改善。本发明还提供了一种半导体器件形成方法和一种半导体器件，可在形成后具有较少的多晶硅栅极根部缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101593684A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200810113689.3 | 申请日期 | 2008.05.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 张海洋;杜珊珊;马擎天 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1.一种多晶硅栅极形成方法，其特征在于，包括：在基底上形成牺牲层；在所述牺牲层内形成沟槽，所述沟槽暴露所述基底；形成覆盖所述牺牲层、所述沟槽侧壁及底壁的介质层；形成覆盖所述介质层并填充所述沟槽的多晶硅层；执行平坦化操作，去除覆盖所述牺牲层的所述介质层；去除所述牺牲层。 | ||
| 地址 | 100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||