发明名称 光刻装置和测量方法
摘要 根据本发明一个实施例的一种(例如在包括用于支撑衬底的衬底台的光刻装置中)曝光衬底的方法包括,使用第一传感器和第二传感器来执行至少一个衬底的部分的第一和第二高度测量,基于测量值之差来产生并存储偏移误差地图;通过利用第一传感器执行高度测量,来产生并存储衬底部分(或具有与这部分相类似处理的另一衬底)的高度地图,并利用偏移误差地图来校正该高度地图;以及曝光衬底(或其它衬底)。
申请公布号 CN100565354C 申请公布日期 2009.12.02
申请号 CN200480041713.7 申请日期 2004.12.22
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 T·M·莫德曼;N·A·A·J·范阿斯坦;G·J·尼梅杰;J·M·范博克斯米尔
分类号 G03F9/00(2006.01)I 主分类号 G03F9/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 王波波
主权项 1.一种测量方法,所述方法包括:使用第一传感器来测量衬底的第一部分的至少一个高度;使用第二传感器来测量所述衬底的第一部分的至少一个高度;基于使用所述第一传感器所测量的至少一个高度和使用所述第二传感器所测量的至少一个高度,来产生所述第一传感器的偏移误差的第一表征;使用所述第一传感器来测量衬底的第二部分的多个高度;以及基于所述第一表征和衬底的第二部分的多个高度,来产生衬底的第二部分的第二表征;其中,所述第一传感器是与处理工艺相关的传感器,所述第二传感器是与处理工艺无关的传感器;或者所述第一传感器是具有第一处理工艺相关性的与处理工艺相关的传感器,所述第二传感器是具有第二处理工艺相关性的与处理工艺相关的传感器,所述第二处理工艺相关性不同于所述第一处理工艺相关性;或者所述第一传感器是与处理工艺无关的传感器,所述第二传感器是与处理工艺有关的传感器。
地址 荷兰费尔德霍芬